三靶射频磁控溅射镀膜仪

等离子源

配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）

可选配300W射频电源（自动匹配）

注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）

磁控溅射头

三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接

靶材尺寸: 直径为25.4mm,zui大厚度3mm

一个快速挡板安装在法兰上

溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）
 

真空腔体

真空腔体：256mm OD x 250mm ID x  276mm H，采用高纯石英制作

密封法兰:直径为274mm .  采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封

一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）

真空度：<1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,<5×10-5 torr （采涡旋分子泵）
  

载样台

载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热

载样台尺寸：直径50mm （zui大可放置2英寸的基片）

旋转速度：0 - 20 rpm

样品台的zui高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃

控温精度+/- 10℃

真空泵

我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售

薄膜测厚仪（可选）             

一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ?  

LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据
 

质保和质量认证

一年质保期，终生维护

CE认证

外形尺寸

使用注意事项

这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度

为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量

请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内