电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 LabMS 3000s 电感耦合等离子体质谱仪

　　【仪器设备新闻 行业应用】本实验参照《GB∕T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》，采用LabMS 3000s ICP-MS测试电子级多晶硅中基体金属杂质含量。LabMS 3000s采用的加强型离子透镜和偏转技术，结合高性能冷等离子技术和新一代碰撞反应池技术，可有效消除干扰，从而获得更低的检测限、背景等效浓度和准确的超痕量分析结果，保证数据质量。

　　1.实验

　　1.1 仪器设备

       EH20B 微控数显电热板，莱伯泰科

　　LabMS 3000s 电感耦合等离子体质谱仪，莱伯泰科

　　1.2 样品前处理

　　1.2.1 样品预处理

　　将样品破碎成小块，破碎过程中严格避免金属沾污。将破碎后样品置于用氢氟酸和硝酸混合溶液中消解清洗，剥离全部表面层后用超纯水洗净。

　　将清洗后的样品置于洁净聚四氟烧杯中，于电热板上烘干至恒重。

　　1.2.2 样品制备

　　称取0.5g(0.0001g)清洗烘干后的样品于洁净聚四氟烧杯中，加入一定量的氢氟酸和硝酸混合溶液中，在电热板上加热使样品完全溶解，继续加热将溶液蒸发近干。室温冷却加3%硝酸溶解定容至5ml，转移至PFA样品瓶待测。

　　1.3 干扰校正

　　Cr、Ni、Cu、Zn易受到(ArN+)、(ArC+)、(ArOH+)等分子的干扰，采用氦气碰撞模式消除干扰;Na元素在正常热等离子体中受干扰较多，背景较高，采用等离子体模式测试可有效降低背景，提升检出限;Fe元素在正常热等离子体中受到(ArO+)分子的干扰，采用冷等离子体模式测试。

　　1.4 标准溶液配置

　　各元素曲线系列点浓度如表1所示;手动加入2ppb的Co内标。

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