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￥50000.00/
| 产品名称： | 锑化铟(InSb)晶体基片 |
| 产品简介： | |
| 技术参数： | 单晶 InSb 掺杂 None;Te;Ge 导电类型 N;N;P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 <2x102 |
| 产品规格： | 标准尺寸：2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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