面议
面议
面议
面议
面议
面议
产品名称： | 氮化镓(GaN)晶体基片 |
产品简介： | GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。 |
技术参数： | 制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15umBow:≤20um
|
产品规格： | 晶体方向: <0001>;常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
氮化镓(GaN)晶体基片由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供，如您想了解更多关于氮化镓(GaN)晶体基片报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。
本网页所展示的有关【氮化镓(GaN)晶体基片】的图片/价格/参数等所有数据信息由会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友提供，由仪器仪表网会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友自行对图片/价格/参数等所有数据信息的真实性、准确性和合法性负责，本平台（本网站）仅提供展示服务，请谨慎交易，因交易而产生的法律关系及法律纠纷由您自行协商解决，本平台（本网站）对此不承担任何责任。您在本网页可以浏览【氮化镓(GaN)晶体基片】有关的信息/图片/价格等及提供 【氮化镓(GaN)晶体基片】的商家公司简介、联系方式等信息。
在您的合法权益受到侵害时，请您在相关信息上架展示七日内，致电400-803-5117，我们将竭诚为您服务。否则，本网站视为您主动放弃相关权益，我们对此不承担任何责任。感谢您的关注与支持！
仪器仪表网www.yqybw.cn Copyright©2008- 2026,All Rights Reserved 仪网天厦（青岛）实验器材有限公司版权所有，未经书面授权，本网站任何内容不得以任何形式进行复制和传播
网站首页 | 付费会员常见问题及攻略 | 仪器仪表网的价值 | 商机（询盘）查看提醒 | 使用指南 | 商机查看指南 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 法律声明 免责声明 | 网站地图 | 广告服务 | 网站留言 | 违规举报 | ICP备案序号:鲁ICP备18039788号-4 |
鲁公网安备37021402001368号 
第1年
小型混合管式/箱式炉
100T手动压片机
Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wa
真空快速热压炉（VRHP）
自动精密研磨抛光机--Unipol-1202
真空热压炉
1500℃小型管式炉-GSL-1500X-50
石墨烯薄膜
不锈钢真空手套箱
