面议
面议
面议
￥50000.00/
面议
面议
产品名称： | 硅(Si)晶体基片
|
产品简介： | 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
|
技术参数： | 掺杂物质：掺B掺P类型：P N电阻率Ω.cm：10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 )：≤100≤100氧含量( /cm3 )：≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )：≤5x1016≤5x1016
|
常规规格: | 晶体方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向； 常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度：Ra<10A 可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！ |
硅(Si)晶体基片由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供，如您想了解更多关于硅(Si)晶体基片报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。
面议
面议
面议
面议
面议
面议
面议
面议
面议
面议
本网页所展示的有关【硅(Si)晶体基片】的图片/价格/参数等所有数据信息由会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友提供，由仪器仪表网会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友自行对图片/价格/参数等所有数据信息的真实性、准确性和合法性负责，本平台（本网站）仅提供展示服务，请谨慎交易，因交易而产生的法律关系及法律纠纷由您自行协商解决，本平台（本网站）对此不承担任何责任。您在本网页可以浏览【硅(Si)晶体基片】有关的信息/图片/价格等及提供 【硅(Si)晶体基片】的商家公司简介、联系方式等信息。
在您的合法权益受到侵害时，请您在相关信息上架展示七日内，致电400-803-5117，我们将竭诚为您服务。否则，本网站视为您主动放弃相关权益，我们对此不承担任何责任。感谢您的关注与支持！
仪器仪表网www.yqybw.cn Copyright©2008- 2026,All Rights Reserved 仪网天厦（青岛）实验器材有限公司版权所有，未经书面授权，本网站任何内容不得以任何形式进行复制和传播
网站首页 | 付费会员常见问题及攻略 | 仪器仪表网的价值 | 商机（询盘）查看提醒 | 使用指南 | 商机查看指南 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 法律声明 免责声明 | 网站地图 | 广告服务 | 网站留言 | 违规举报 | ICP备案序号:鲁ICP备18039788号-4 |
鲁公网安备37021402001368号 
第1年
小型1400℃真空气氛管式炉
Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜
热解石墨箔
铜基底石墨烯膜
有机玻璃手套箱
单晶靶材
精确恒压控制型气动压机
19升1700℃箱式炉
Mg箔
多路质量流量供气系统
