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产品名称： | 硅(Si)晶体基片
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产品简介： | 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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技术参数： | 掺杂物质：掺B掺P类型：P N电阻率Ω.cm：10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 )：≤100≤100氧含量( /cm3 )：≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )：≤5x1016≤5x1016
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常规规格: | 晶体方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向； 常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度：Ra<10A 可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！ |
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