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产品名称： | 非极性氮化镓(GaN)晶体基片 |
产品简介： | |
技术参数： | 晶体定位面：A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15um；
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产品规格： | 常规尺寸：10x5x0.5mm； 厚度公差：+/-0.05mm； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
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