- 产地:
- 安徽
- 型号:
- GaN
产品名称: | 非极性氮化镓(GaN)晶体基片 |
产品简介: | |
技术参数: | 晶体定位面:A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15um;
|
产品规格: | 常规尺寸:10x5x0.5mm; 厚度公差:+/-0.05mm; 注:可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
非极性GaN晶体基片由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供,如您想了解更多关于非极性GaN晶体基片报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。

















第1年



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