PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch

产地：

英国

型号：

PlasmaPro 100 PECVD

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。

高刻蚀速率和高选择性

低损伤刻蚀和高可重复性加工

单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群

He背面冷却，以实现最佳温度控制

宽温度范围电极，-150°C至400°C

与所有最大尺寸为200毫米的晶圆兼容

晶圆尺寸之间的快速转换

原位腔室清洁和终点控制功能

Cobra® ICP等离子体源可在低压条件下产生高密度活性物质。基片直流偏压由独立的射频发生器驱动，可根据工艺要求独立控制自由基和离子。

牛津仪器的PlasmaPro 100工艺模块提供了一个最大为200毫米的平台，具备单晶圆和多晶圆批处理的能力。这些工艺模块具有高吞吐量、高精度和出色的均匀性，能够实现干净、光滑的垂直轮廓和刻蚀表面。我们的系统在大批量制造 (HVM) 领域拥有广泛的安装基础，并提供完善的工艺解决方案。

特色

通过腔室中的均匀高传导通路将反应性粒子传递到基板 - 允许高气体流量的同时维持低室内压力，从而为先进应用开发提供宽广的工艺窗口

宽温度范围电极，可以通过流体循环冷却装置冷却至-20°C和液氮冷却至-150°C，或通过电阻加热升温至400°C - 可选的排气和液体交换单元可自动切换模式，-20°C至-150°C的转换仅需10分钟

流体控制电极由一个再循环冷却器装置供给 - 极佳的基底温度控制l

ICP源尺寸可选65mm或300mm - 300mm源可提供高达200mm晶圆的卓越工艺均匀性

采用He背面冷却的晶圆夹持 - 最佳晶圆温度控制

应用

丰富的 III-V 刻蚀工艺库

用于量子器件的NbN和Ta材料

复合半导体应用领域：

固态激光器InP刻蚀

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

电力电子/射频SiC和GaN刻蚀

广泛的金属刻蚀工艺库： 铝、铬、镍等

SiOx和SiO2刻蚀

熔融石英和石英刻蚀

硅刻蚀

SiO2 和 SiNx 硬掩膜刻蚀

晶圆尺寸：最大可达200mm

ICP源尺寸可选：65mm和300mm

温度范围：从-150°C到400°C

集群：多达5个模块，包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch由牛津仪器科技（上海）有限公司 为您提供，如您想了解更多关于PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。