日立 IM4000PLUS离子研磨仪器

产地：

日本

型号：

IM4000PLUS

IM4000PLUS是支持断面研磨和平面研磨（Flat Milling®*1）的混合式离子研磨仪器。借此，可以用于适用于各种诸如对样品内部结构观察和各类分析等，为评价目的样品的制作。

*1平面研磨（Flat Milling®）是位于日本国内的日立高新技术有限公司的注册商标。

特点
高通量的断面研磨

配备断面研磨能力达到500 µm/h*2以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出断面样品。

*2

在加速电压6 kV下，将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时时的最大深度

断面研磨

即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所构成的复合材料，也可以制备出平滑的断面样品

优化加工条件，减轻损伤

可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品

断面研磨的主要用途

制备金属以及复合材料、高分子材料等各种样品的断面

制备用于分析开裂和空洞等缺陷的断面

制备评价、观察和分析所用的沉积层界面以及结晶状态的断面

断面研磨加工原理图

平面研磨（Flat Milling®）

均匀加工成直径约为5mm的范围

可运用于符合其目的的广泛领域

最大可装载直径50 mm × 厚度25 mm的样品

可选择旋转和摆动（±60度～±90度的翻转）2种加工方法

平面研磨（Flat Milling®）的主要用途

去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变

去除样品的表层

消除FIB加工的损伤

平面研磨（Flat Milling®）加工原理图

与日立SEM的样品结合

样品无需从样品台取下，就可直接在SEM上进行观察。

在抽出式的日立SEM上，可按照不同的样品分别设置截面、平面研磨杆，因此，在SEM上观察之后，可根据需要进行再加工。

功能冷却温度调节功能*1

附冷却温度调节功能的IM4000PLUS

该功能可有效防止加工过程中，由于离子束照射引发的样品的温度上升，所导致样品的溶解和变形。对于过度冷却后会产生开裂的样品，通过冷却温度调节功能可防止其因过度冷却而产生开裂。

*1 此调节功能不是IM4000PLUS的标配功能，而是配有冷却温度调节功能的IM4000PLUS功能。

样品：铅焊料

常温研磨

冷却研磨

选项大气隔离样品杆

大气隔离样品杆，可让样品在不接触空气的状态下进行研磨。
密封盖将样品密闭，进入真空排气的样品室后，打开密封盖。如此，离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接设置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

*1

仅支持附带大气隔离样品更换室的日立FE-SEM和FIB。

*2

仅支持真空型日立AFM。

锂离子电池负极（充电后）

大气暴露

大气隔离

用于加工时观察的立体显微镜

IM4000、IM4000PLUS通过设置在样品室上方的立体显微镜，可观察到研磨过程中的样品。
如果是三目型，则可以通过CCD摄像头*3进行监控观察。

*3

CCD摄像头以及监控器由客户准备。

观察示例断面研磨

如果是大约500 µm的角型的陶瓷电容器，则可以3小时内制备出平滑的断面。

样品：陶瓷电容器

低倍图像

放大图像

即使硬度和成分不同的多层结构材料，也可以制备断面。

样品：保险杠涂膜

低倍图像

放大图像

这是通过锂电池正极材料，断面研磨获得平滑截面的应用实例。
在SEM上观察到的具有特殊对比度的部位，从SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）图像来看，考虑为电阻低的部位。

样品：锂离子电池正极材料 样品制备方法：断面研磨

平面研磨（Flat Milling）

可以去除机械研磨所引起的研磨损伤和塌边，并可观察到金属层、合金层和无铅焊料的Ag分布。

样品：无铅焊料

机械研磨后

平面研磨后

因老化等变得脏污的观察面、分析面，通过平面研磨，也可以获得清晰的通道对比度图像和EBSD模式。

样品：铜垫片

 

规格

项目	内容
	IM4000PLUS	IM4000PLUS
	断面研磨杆	平面研磨杆
使用气体	Ar（氩）气
加速电压	0 ～ 6 kV
最大研磨速度（Si材料）	500 µm/hr*1 以上	-
最大样品尺寸	20（W）× 12（D）× 7（H）mm	Φ50 × 25（H） mm
离子束	标配
间歇照射功能
尺寸	616（W）× 705（D）× 312（H）mm
重量	机体48 kg＋回转泵28 kg
附冷却温度调节功能的IM4000PLUS
冷却温度调节功能	通过液氮间接冷却样品、温度设定范围：0°C ～ －100°C
选项
空气隔离	仅支持断面研磨夹持器	-
样品夹持器
FP版断面研磨夹持器	100 µm/rotate*2	-
用于加工监控的显微镜	倍率 15 × ～ 100 × 双目型、三目型（支持CCD）

*1 将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时的最大深度

*2 千分尺旋转1圈时的遮挡板移动量。断面研磨夹持器比为1/5

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