脉冲激光沉积分子束外延系统

型号：

PLD MBE

产地：

美国

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。
主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源

PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：
用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；
UHV磁控溅射磁性薄膜；
脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。

应用主要包括：

分子束外延系统（MBE）
GaAs、InP和GaSb外延
HgCdTe外延
GaN、InN和AlN外延
Ⅱ-Ⅵ族外延
SiGe外延
Si/金属/氧化物外延

超高真空物理气相沉积（PVD）系统
磁控溅射系统
脉冲激光沉积（PLD）系统
电子束蒸发系统
离子束沉积系统
热蒸发系统

已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统zui初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途