- 产地:
- 安徽
- 型号:
- 锑化镓(GaSb)晶体基片
| 产品名称: | 锑化镓(GaSb)晶体基片 |
| 产品简介: | |
| 技术参数: | 单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC ? 3" |
| 产品规格: | 标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛, ?3"x 0.5mm. 表面粗糙度Ra:<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
| 标准包装: | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
锑化镓(GaSb)晶体基片由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供,如您想了解更多关于锑化镓(GaSb)晶体基片报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。

















第1年



铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片
GaSe(进口料)
A-Z系列纳米粉
多路质量流量供气系统
HN Kapton 进口材料
单晶靶材
砷化铟(InAs)晶体基片
石墨烯薄膜
超薄Si片
无尘布

鲁公网安备37021402001368号