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产品名称： | InSb?P型掺Ge |
技术参数： | 生长方法：LEC 晶向：<100>±0.5° 载流子浓度：(0.05-0.50)x10^17/cc Mobility:> (4.0-8.4)x10^3 cm2/Vs EPD:<200 /cm2 尺寸：dia2"x0.45mm 抛光：单面抛光
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常规尺寸： | <100> dia2"X0.45mm 单抛 |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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