面议
面议
面议
面议
面议
面议
产品名称： | Si上镀Cu薄膜（Cu?coated?Si?Wafer?） |
技术参数： | 薄膜厚度：400nm highly oriented poly crystalline Cu <111> Si基底尺寸： dia4”x0.525mm Si参数：P型掺B， <100> ,单抛， 电阻率：1-20 ohm-cm 表面粗糙度： as grown , N/A
|
产品规格： | dia 4 inch or 10x10mm
|
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空封装或者单片盒装 |
Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供，如您想了解更多关于Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。
本网页所展示的有关【Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）】的图片/价格/参数等所有数据信息由会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友提供，由仪器仪表网会员【合肥科晶材料技术有限公司 】或网友自行对图片/价格/参数等所有数据信息的真实性、准确性和合法性负责，本平台（本网站）仅提供展示服务，请谨慎交易，因交易而产生的法律关系及法律纠纷由您自行协商解决，本平台（本网站）对此不承担任何责任。您在本网页可以浏览【Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）】有关的信息/图片/价格等及提供 【Si上镀Cu薄膜（进口Cu coated Si Wafer ）】的商家公司简介、联系方式等信息。
在您的合法权益受到侵害时，请您在相关信息上架展示七日内，致电400-803-5117，我们将竭诚为您服务。否则，本网站视为您主动放弃相关权益，我们对此不承担任何责任。感谢您的关注与支持！
仪器仪表网www.yqybw.cn Copyright©2008- 2026,All Rights Reserved 仪网天厦（青岛）实验器材有限公司版权所有，未经书面授权，本网站任何内容不得以任何形式进行复制和传播
网站首页 | 付费会员常见问题及攻略 | 仪器仪表网的价值 | 商机（询盘）查看提醒 | 使用指南 | 商机查看指南 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 法律声明 免责声明 | 网站地图 | 广告服务 | 网站留言 | 违规举报 | ICP备案序号:鲁ICP备18039788号-4 |
鲁公网安备37021402001368号 
第1年
300ml镍基合金高温高压反应釜--RC-N
（日本料）掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶
真空井式坩埚炉
双温区立式高温高压炉--OTF-1200X-I
石墨烯泡沫片
11英寸1100℃三温区管式炉--GSL-110
1200℃三温区管式炉--OTF-1200X-VT
36升1400℃箱式炉
Si+SiO2+Ti+Pt <111> (dia2"进口薄
