- 产地:
- 美国
- 型号:
- Si上镀Ge薄膜
产品名称: | Si上镀Ge薄膜(进口?Ge?epi-film?on?N-type?Silicon?Wafer,?0.5?um?thickness?) |
技术参数: | Si基片参数:N型掺P; dia 4inch x 0.5mm-0.55mm Si晶向:<100> with flats 2 SEMI-STD on Axis 0 degree offSi 电阻率:1-10ohm.cmParticles:< 50 @ >0.20 um Ge薄膜参数:0.5 um +/- 3%;<100>;N型;P型掺杂浓度:(1-5)E19 /ccCurrent RMS spec:表面粗糙度 < 2 nm
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产品尺寸: | dia4 inch or 10x10mm
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标准包装: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒 |
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第1年



V丝
Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
Si+SiO2+Ti+Pt <111> (dia2"进口薄
多工位1200℃单温区回转炉
Mg薄片
进口TiO2晶体(锐钛矿型)
1600℃真空高温管式炉
GGG上镀YIG外延薄膜
CVD系统
不锈钢真空手套箱

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