第1年
GdScO3晶体基片
Ni基底石墨烯
金属靶材
V片
GaN靶
七温区1000℃网带炉--KSL-1200X-BF6
真空井式坩埚炉
4路质子混气管式PECVD系统
Al2O3+Si薄膜(SOS)
V箔片
- 产地：
- 美国
- 型号：
- 康宁7980上镀Si3N4
产品名称： | 康宁7980上镀Si3N4（Silicon Nitride Film (LPCVD) on Corning 7980）
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产品简介： | The Si3N4 film may have stressed induced micro-cracking resulted from the large difference of thermal expansion coefficient between Si3N4 and SiO2 fused silica
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技术参数： | Si3N4薄膜：镀膜方法：low stress LPCVD method低压力化学气相沉积法膜层厚度：1.3um +/- 5%镀膜情况：双面镀膜UV级石英 UV Grade Fused Silica (Corning 0F 7980 HPFS)：常规尺寸:dia100.0 (±0.20) mm x 0.5 (± 0.10) mm边缘：CNC Ground表面质量：60/40 失效区域： 2.0 mm borderTTV:< 20 microns抛光情况：双面抛光(60/40)
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产品规格： | dia100x0.5mm；10x5x0.5mm；10x10x0.5mm |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋或单片盒包装 |
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