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产品名称： | Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg （Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?） |
常规尺寸： | dia2"+ 200nm ±20nm |
标准包装：
技术参数： | 1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装 |
Al2O3晶向： | c-axis (0001) +/- 1.0 o |
导电类型： | P型掺Mg |
薄膜厚度： | 200nm ±20nm；产品级； |
正面情况（front surface finish Ga face ）： | As-grown |
反面情况Back Surface Finish Sapphire ）： | as-received finish |
可用区域： | >90% ；Edge Exclusion Area 1mm |
数据图： | 详细数据图请点击 |
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