日立双束（三束）聚焦离子束系统NX2000

产地：

日本

型号：

NX2000

追求最完美的TEM样品制备工具

在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域，FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来，目标观察物更趋微细化；更薄，更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司，整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术，再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®＊1（选配）技术，推出了新一代产品NX2000

特点运用高对比度，实时SEM观察和加工终点检测功能，可制备厚度小于20 nm的超薄样品

FIB加工时的实时SEM观察＊2例
样品：NAND闪存
加速电压：1 kV
FOV：0.6 µm

加工方向控制技术（Micro-sampling®＊3系统（选配）+高精度/高速样品台＊）对于抑制窗帘效应的产生，以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。

加工方向控制

常规加工时

Triple Beam®＊1（选配）可提高加工效率，并能使消除FIB损伤自动化

EB：Electron Beam（电子束）
FIB：Focused Ion Beam（聚焦离子束）
Ar：Ar ion beam（Ar离子束）

选配件

Ar/Xe离子束系统

Micro-sampling®＊3系统

缺陷检测设备联用软件

CAD联用导航软件

EDS（能谱仪）

TEM样品精加工向导

TEM样品厚度管理软件

连续A-TEM

实时画质优化系统

Swing加工功能（用于Triple Beam®＊1）

等离子清洗机

真空转移机构

冷台

规格

项目	内容
FIB镜筒
分辨率	4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压	0.5～30 kV
束流	0.05 pA ～ 100 nA
FE-SEM镜筒
分辨率	2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速电压	0.5～30 kV
电子枪	冷场场发射型
探测器
標準検出器	In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
样品台	X：0 ～ 205 mm
	Y：0 ～ 205 mm
	Z：0 ～ 10 mm
	R：0 ～ 360°连续
	T：-5 ～ 60°

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