国仪量子 国产SEM5000 功率器件分析专用场发射扫描电镜

产地：

安徽

型号：

SEM5000Pro功率器件

SEM5000Pro是一款分辨率高、功能丰富的场发射扫描电子显微镜。

先进的镜筒设计，高压隧道技术（SuperTunnel）、低像差无漏磁物镜设计，实现了低电压高分辨率成像，同时磁性样品可适用。光学导航、完善的自动功能、精心设计的人机交互，优化的操作和使用流程，无论经验是否丰富，都可以快速上手，完成高分辨率拍摄任务。

功率器件分析

扫描电镜可以对器件的尺寸和一些重要的物理参数进行分析，如结深、耗尽层宽度少子寿命、扩散长度等等，也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。

扫描电镜二次电子像可以分析器件的表面形貌，结合纵向剖面解剖和腐蚀，可以确定PN结的位置、结的深度。
利用扫描电镜束感生电流工作模式，可以得到器件结深、耗尽层宽度、MOS管沟道长度，还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。
对于1nm以下的短沟道器件检测，可用类似于测量耗尽层宽度的方法，电子束对MOS场效应管进行扫描，得到二条柬感生电流曲线，就可得知此场效应管的沟道长度。

举例

功率半导体器件的电性失效分析

●定位目标区域：扫描电镜可准确定位到各种不同的缺陷位置。

●穿透金属层制备样品成像。

●纳米探测进一步定位缺陷位置: 如果在PFIB除层步骤中缺陷没有暴露，将会使用纳米探测进行进一步定位。使用扫描电子显微镜(SEM)可进行纳米探测。电流-电压曲线的异常会揭示缺陷位置，并指出对缺陷位置进行物性失效分析(PFA)检测所需的材料体积。

功率半导体器件的物性失效分析

●表征导致失效的微观结构: 双束扫描电镜使用两种可能的方法来制备样品。

●切片和成像: 该技术涉及一系列的聚焦离子束（FIB）切割，通过SEM 成像切割材料，直到发现缺陷。

在碳化硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中显现的掺杂剂

电子枪类型：高亮度肖特基场发射电子枪

分辨率：0.8 nm @ 15 kV；1.2 nm @ 1 kV

放大倍率：1 ~ 2,500,000 x

加速电压：20 V ~ 30 k

样品台：五轴全自动样品台

产品特点：

01 分辨率高，低加速电压下实现高分辨成像

02 电磁复合物镜，减小像差，显著提高低电压下的分辨率，而且可观察磁性样品

03 高压隧道技术(SuperTunnel) ，在隧道中的电子能保持高能量，减少了空间电荷效应，低电压分辨率得到保证

04 电子光路无交叉，有效的降低系统像差，提升分辨能力

05 水冷恒温物镜，保证物镜工作的稳定性、可靠性和可重复性

06 磁偏转六孔可调光阑，自动切换光阑孔，无需机械调节，实现高分辨率观察或大束流分析模式快速切换

产品参数