牛津仪器PlasmaPro100 ALE原子层刻蚀

型号：

PlasmaPro100 ALE

产地：

英国

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。

PlasmaPro 100 ALE 的特点:

准确的刻蚀深度控制；

光滑的刻蚀表面

低损伤工艺

数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

高选择比

能加工最大200mm的晶圆

高深宽比（HAR）刻蚀工艺

非常适于刻蚀纳米级薄层

III-V族材料刻蚀工艺

固体激光器InP刻蚀

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

射频器件低损伤GaN刻蚀

硅Bosch和超低温刻蚀工艺

类金刚石（DLC）沉积

二氧化硅和石英刻蚀

用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀




注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途