OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测
标准笼板卓立汉光
卓立汉光影像校正光谱仪 OmniEvo180
卓立汉光荧光光谱测量系统 应用于生
太阳能电池伏安特性测量系统
- 产地：
- 北京
- 型号：
- DInGaAs(x)-TE
产品概述
TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计，其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。
光谱响应度曲线参考图（虚线为某款国产InGaAs对比曲线）
铟镓砷探测器使用建议：
■
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
■ 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
| 型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs2600-TE | DInGaAs2600H-TE |
|
光敏面直径(mm) |
3 |
3 |
3 |
|
波长范围(nm) |
800-1700 |
800-2600 |
800-2600 |
|
峰值响应度(A/W) |
0.9 |
1.2 |
1.3 |
|
D*(典型值) |
8.4×1013 |
44.9×1011 |
4.5×1011 |
|
NEP(典型值) |
3.2×10-15 |
5.5×10-13 |
6×10-13 |
|
温控器型号 |
ZTC |
ZTC |
ZTC-H |
|
探测器温度(℃) |
-40 |
-40 |
-20 |
|
温度稳定度(℃) |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
|
环境温度(℃) |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
|
信号输出模式 |
电流 |
电流 |
电流 |
|
输出信号极性 |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
|
匹配前置放大器型号 |
ZPA-7 |
ZPA-7 |
Preamplifier |
TE制冷型铟镓砷探测器（DInGaAs探测器）由北京卓立汉光仪器有限公司 为您提供，如您想了解更多关于TE制冷型铟镓砷探测器（DInGaAs探测器）报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。
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