- 产地:
- 北京
- 型号:
- OPTM 系列
OPTM 系列显微分光膜厚仪
头部集成了薄膜厚度测量所需功能
通过显微光谱法测量高精度绝对反射率(多层膜厚度,光学常数)
1点1秒高速测量
显微分光下广范围的光学系统(紫外至近红外)
区域传感器的安全机制
易于分析向导,初学者也能够进行光学常数分析
独立测量头对应各种inline客制化需求
支持各种自定义
OPTM 系列显微分光膜厚仪选型表
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 测定时间 | 1秒 / 1点 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小约5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規格 | 氘灯+卤素灯 | 卤素灯 | |
| 电源規格 | AC100V±10V 750VA(自动样品台规格) | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分) | ||
| 重量 | 约 55kg(自动样品台规格之主体部分) | ||
测量项目:
绝对反射率测量
多层膜解析
光学常数分析(n:折射率,k:消光系数)
测量示例:SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量
半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号,但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径,有必要隔离晶体管,埋入绝缘膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜,或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。 为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制,有必要测量这些膜厚度。

显微分光膜厚仪由北京卓立汉光仪器有限公司 为您提供,如您想了解更多关于显微分光膜厚仪报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。

















卓立汉光铟镓砷探测器
光纤光谱仪SGM30系列
APFP-TS燕尾座支架
Omni-λ300Di系列色散相减级联光谱
光催化专用氙灯光源
双利合谱 HySpectralStitcher拼接软

鲁公网安备37021402001368号