日本电子JEM-ARM200F冷场发射球差校正透射电镜 世界领先的STEM-HAADF像分辨率

产地：

日本

型号：

JEM-ARM200F

 在美国的第一台搭载冷场发射电子枪的JEM-ARM200F将安装在Florida State University’s Applied Superconductivity Center, housed in the National High Magnetic Field Laboratory. 其后美国的Brookheaven国家实验室；欧洲各国；日本的东京大学、东北大学、名古屋大学、九州大学等；中国台湾的清华大学也开始纷纷采购这一设备。中科院物理所是中国大陆的第一家用户，安装后仪器始终运行稳定，超高的分辨率和分析能力已获得大量高水平数据。

       JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射电子显微镜

JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器，是一款原子分辨分析型透射电镜，拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。标配照明系统球差校正器，且zei大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性，实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。

产品特点：

JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器，是一款原子分辨分析型透射电镜，拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。

STEM-HAADF像的保证分辨率（78pm*1 ）为世界之领先性能

标配照明系统球差校正器，且zei大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性，实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。 此外经过球差校正的电子束与一般的场发射透射电镜相比，电流密度可以高出十倍。使用束斑更小、电流密度更大的电子束，能在进行原子水平的元素分析同时,大幅度地缩短测试时间，极大地提高分析效率。
*1 配备冷场发射电子枪

 *2 配备肖特基场发射电子枪

通过STEM-ABF像直接观察轻元素的原子阵列

JEM-ARM200F标配了扫描透射环形明场(STEM-ABF)成像模式，通过STEM-ABF像能直接观察晶体样品中轻元素的原子阵列，还可以同时获取STEM-HAADF像，在样品结构的分析中能够发挥巨大威力

用100mm2的大面积SDD*3进行原子分辨分析

JEM-ARM200F配备日本电子制造的100mm²的大面积硅漂移检测器(Silicon Drift Detector:SDD)*3，可以进行快速、高灵敏的EDS元素分析，与经过球差校正的电子束流组合，能进行原子级的元素面分布，在原子水平的分辨率下进行成份分析。
*3 选配

用冷场发射电子枪*4进行观察和分析

冷场发射电子枪(Cold-FEG)*4配备新开发的真空系统，与传统的冷场发射电子枪不同，Flashing操作后可以马上使用。由于光源小可以获得更高分辨率的图像。此外冷场发射电子枪的能量发散度小，不仅能进行高分辨率的EELS分析，还能降低色差。
*4 选配

成像系统球差校正器*5

使用成像系统的球差校正器*5，透射电子像(TEM)的分辨率可以高达110pm。
*5 选配

产品规格：

日本电子株式会社2010年7月zei新推出了冷场发射双球差校正原子分辨和分析型透射电镜。

传统的冷场发射技术稳定性差，亮度低，无法保证透射电镜的使用需求。日本电子株式会社zei新开发的冷场发射技术解决了这些问题，并把该技术加入到zei新球差校正透射电镜ARM200F序列里。使ARM200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时，能量分辨率提高到0.3eV，极大增强了原子级观察和原子级分析能力。 

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