P型、N型、11N/12N/13N/高纯锗晶体HPGe、高纯锗单晶

型号：

GeHP

产地：

美国

P型、N型、11N/12N/13N/高纯锗晶体HPGe、高纯锗单晶

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1、晶体习性与几何描述：

    该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：

   D ----外形尺寸当量直径

   W----锗晶体重量

   L-----晶体长度

   测量值是四舍五入zui小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。

       2、纯度：残留载荷

     zui大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。

         同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：

          N_max = 每立方厘米zui大杂质含量

         VD = 耗尽层电压 = 5000 V

               εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm

               εr = 相对介电常数(Ge) = 16

          q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)

          r1 = 探测器内孔半径

            r2 = 探测器外孔半径

       3、纯度 ：              

          假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：            

         D = 晶体外表面            

          平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：

           d=探测器外观尺寸厚度

           径向分散载荷子（jue对值）

           迁移：霍尔迁移

       性能： P 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s 

          N 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

       能级： P 型晶体  通过深能瞬态测量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

       N 型晶体  通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*10⁸ cm^-3

            晶体主要指标：                                P 型晶体               N 型晶体     

                                           错位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                           星型结构             ≤ 3                       ≤ 3              

                                           镶嵌结构              ≤ 5                       ≤ 5              

       4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明：  

注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途